Sony und Toshiba bringen 65-nm-Chip

Sony und Toshiba haben mit der 65-Nanometer-CMOS-Prozesstechnologie die weltweit ersten System-LSIs [Large Scale Integrated Circuits] mit integriertem DRAM entwickelt.

Die Neuheit stellt "einen entscheidenden Schritt in der Herstellung von Single-Chip-Systemen" dar, die nur noch ein Viertel der Größe von herkömmlichen Systemen haben sollen, sagt Sony heute in einer Presseaussendung.

Die System-on-Chip [SOC]-Technologie soll für eine Leistungssteigerung und erweiterte Funktionen sorgen, der integrierte High-Performance-Transistor verfügt nach Aussagen der Entwickler über die weltweit höchste Schaltgeschwindigkeit. Weiters sollen die Transistoren mit der weltweit kleinsten integrierten SRAM- bzw. DRAM-Zelle ausgerüstet sein.

Sony-Statement

Schaltgeschwindigkeit

Die Schaltgeschwindigkeit konnte laut Sony mit einer neuen Transistor-Technologie auf Werte von 0,72 psec für NMOSFET und 1,41 psec für PMOSFET bei 0,85 V gebracht werden.

Die integrierte SRAM-Zelle soll nur 0,6 Quadratmikrometer groß sein, die DRAM-Zelle kommt auf 0,11 Quadratmikrometer, ihre Kapazität liegt bei 256 MBit.

Bereits im März 2001 hatten die beiden Unternehmen zusammen mit IBM die gemeinsame Entwicklung einer 90-nm- und einer 65-nm-CMOS-Prozesstechnologie angekündigt und so den Grundstein für die System-LSIs gelegt. Die Details zur neuen Technologie werden nach Aussagen von Sony im Rahmen des "International Electron Device Meeting" [IEDM] präsentiert, das von 9. bis 11. Dezember in San Francisco abgehalten wird.