28.06.1999

0,13 MIKRON

Bildquelle: Samsung

1-Gigabit RAM-Chips kommen

Die südkoreanische Elektronikgruppe Samsung hat nach eigenen Angaben die Entwicklung des weltweit ersten Ein-Gigabit-Speicherchips abgeschlossen. Wie das Unternehmen heute mitteilte, ist der RAM-Baustein damit reif für die Serienproduktion. Einen Termin für den Beginn der Halbleiterfertigung nannte Samsung zunächst allerdings nicht.

Bei der Herstellung des 1 Gigabit RAM-Bausteins soll ein 0,13-Micron Verfahren angewandt werden. Diese nochmalige Miniaturisierung erlaubt es, die Chips noch kleiner, dafür aber leistungsfähiger zu bauen. Acht Gigabit-Bausteine ergeben ein Speichervolumen von 1 Gigabyte, auf herkömmlichen 168-pin SDRAMs sind 16 Bausteine angebracht. Auf SDRAM-Technologie umgelegt, ergibt das ein RAM-Modul von 2 Gigabyte Grösse.

Die Technologie soll demnächst auch bei 128- und 256 Megabit DRAMs eingesetzt werden, um die Wettbewerbsfähigkeit zu steigern: Siliziumwafer sind sehr teuer - je kleiner der Chip, umso mehr lassen sich aus einer einzigen Siliziumscheibe fertigen.

Gewaltiges Wachstum prophezeit

Derzeit wird für die Serienproduktion von SDRAM bei Samsung 0,18 Micron-Technologie verwendet. Samsung beliefert PC-Hersteller wie IBM, Siemens, Dell, Compaq und Hewlett-Packard und will heuer bis zu 3 Millionen 256 Megabyte RAM-Bausteine herstellen.

Der Markt ist gewaltig: Laut einer InStat-Studie werden heuer weltweit allein mit SDRAM rund 18,5 Milliarden Dollar umgesetzt, im Jahr 2000 sollen es bereits 31, 8 Mrd sein. Für 2001 wird ein Weltumsatz von 51,6 Milliarden USD erwartet.